摘要

隨著半導體製成日漸精密，產生的污染物顆粒也有微小化的趨勢。晶圓研磨廢水含奈米級的濁度顆粒，為了沉降這些細小顆粒，往往必須添加大量的混凝劑，因而導致污泥體積大增。如何減少污泥體積以增加廢水可排放比例，已成為廢水處理工程的一大挑戰。

本研究採用田口實驗設計法探討下列四種系統處理乾式晶圓研磨廢水的成效，分別為：1.化學混凝沉澱、2.以陽離子性高分子絮凝劑取代PAC進行混凝、3.磁種混凝、4.化學混凝與磁種混凝兩種方法互相搭配。實驗結果顯示對於乾式晶圓研磨廢水之最佳處理系統為化學混凝搭配磁種混凝，其最佳條件為：PAC1.6g、磁種0.1g、強陽離子性高分子絮凝劑0.01g、pH9、快混攪拌速率200rpm(1min)、慢混攪拌速率30rpm(3min)，混凝後在外加磁場2400Gauss下磁壓密10min。經此處理，濁度可由原廢水的3500NTU降至1.12NTU，期濁度去除率高達99%，而每800cc廢水產生之污泥體積只有116cm³，效果優於高雄某半導體廠現行之處理方式。